Transistor bipolar BDT93

Características del transistor BDT93

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 90 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDT93

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDT93 es el BDT94.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT93

Puede sustituir el BDT93 por el BDT93F, BDT95 o BDT95F.
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