Transistor bipolar MJF3055G
Características del transistor MJF3055G
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 90 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 90 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
- Disipación de Potencia Máxima: 30 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 100
- Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220F
- Electrically Similar to the Popular MJE3055T transistor
- El MJF3055G es la versión sin plomo del transistor MJF3055
Diagrama de pines del MJF3055G
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor MJF3055G
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