Transistor bipolar 2N6100

Características del transistor 2N6100

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 75 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 80
  • Frecuencia máxima de trabajo: 1 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2N6100

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N6100

Puede sustituir el 2N6100 por el 2N6101, 2N6488, 2N6488G, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD909, BD911, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, MJF3055 o MJF3055G.
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