Transistor bipolar BDT95F

Características del transistor BDT95F

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 32 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del BDT95F

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDT95F es el BDT96F.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT95F

Puede sustituir el BDT95F por el BDT95.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com