Transistor bipolar MJE3055TG

Características del transistor MJE3055TG

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 70 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 75 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 100
  • Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • El MJE3055TG es la versión sin plomo del transistor MJE3055T

Diagrama de pines del MJE3055TG

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJE3055TG es el MJE2955TG.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE3055TG

Puede sustituir el MJE3055TG por el 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, BD707, BD709, BD711, BD743A, BD743B, BD743C, BD907, BD909, BD911, BDT91, BDT91F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, MJE3055T, MJF3055 o MJF3055G.
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