Transistor bipolar BD537J

Características del transistor BD537J

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 50 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 30 a 75
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BD537J

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BD537J puede tener una ganancia de corriente de 30 a 75. La ganancia del BD537 estará en el rango de 40 a 0, para el BD537K estará en el rango de 40 a 100.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD537J es el BD538J.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD537J

Puede sustituir el BD537J por el 2N6100, 2N6101, 2N6488, 2N6488G, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD799, BD801, BD809, BD909, BD911, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, MJF3055 o MJF3055G.
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