Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del 2SD856-Q
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Clasificación de hFE
El transistor 2SD856-Q puede tener una ganancia de corriente de 70 a 150. La ganancia del 2SD856 estará en el rango de 40 a 250, para el 2SD856-P estará en el rango de 120 a 250, para el 2SD856-R estará en el rango de 40 a 90.
Marcado
A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD856-Q puede estar marcado sólo como "D856-Q".
Transistor PNP complementario
El transistor PNP complementario del 2SD856-Q es el 2SB761-Q.
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD856-Q