Transistor bipolar 2SD812

Características del transistor 2SD812

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 15 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SD812

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD812 puede tener una ganancia de corriente de 40 a 200. La ganancia del 2SD812-P estará en el rango de 100 a 200, para el 2SD812-Q estará en el rango de 60 a 120, para el 2SD812-R estará en el rango de 40 a 80.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD812 puede estar marcado sólo como "D812".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD812 es el 2SB747.

Versión SMD del transistor 2SD812

El BDP951 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SD812.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD812

Puede sustituir el 2SD812 por el 2SC1986, 2SC2334, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1355, 2SD1407, 2SD1407A, 2SD2059, 2SD363, 2SD525, 2SD569, 2SD613, 2SD772, 2SD792, 2SD823, BD243B, BD243C, BD537, BD539B, BD539C, BD539D, BD799, BD801, BD809, BD951, BD953, BD955, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, KSC2334, KSD363, KSD569, KTD2059, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E o TIP42F.
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