Transistor bipolar BDT81F

Características del transistor BDT81F

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 36 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40
  • Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del BDT81F

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDT81F es el BDT82F.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT81F

Puede sustituir el BDT81F por el 2SC4552, 2SC4552-K, 2SC4552-L, 2SC4552-M, BD545A, BD545B, BD545C, BDT81, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 o MJF6388G.
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