Transistor bipolar KTC2018

Características del transistor KTC2018

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 240
  • Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del KTC2018

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTC2018 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 240. La ganancia del KTC2018-O estará en el rango de 70 a 140, para el KTC2018-Y estará en el rango de 120 a 240.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del KTC2018 es el KTA1038.

Versión SMD del transistor KTC2018

El BDP953 (SOT-223) es la versión SMD del transistor KTC2018.

Sustitución y equivalentes para el transistor KTC2018

Puede sustituir el KTC2018 por el 2SC2334, 2SD1355, 2SD1407, 2SD1407A, 2SD2059, 2SD363, 2SD525, 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, 2SD866A, BD243C, BD539C, BD539D, BD543C, BD545C, BD801, BD953, BD955, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, KSC2334, KSD363, KTC2028, KTD2059, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E o TIP42F.
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