Transistor bipolar 2SD1362

Características del transistor 2SD1362

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 240
  • Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SD1362

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1362 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 240. La ganancia del 2SD1362-O estará en el rango de 70 a 140, para el 2SD1362-Y estará en el rango de 120 a 240.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1362 puede estar marcado sólo como "D1362".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1362 es el 2SB992.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1362

Puede sustituir el 2SD1362 por el 2SC2334, 2SC3346, 2SC3710, 2SC3710A, 2SD1271, 2SD1411, 2SD1411A, 2SD866, 2SD866A, BD537, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD799, BD801, BD809, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, KSC2334, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030 o MJF15030G.
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