Bipolartransistor S8050B

Elektrische Eigenschaften des Transistors S8050B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des S8050B

Der S8050B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor S8050B kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des S8050 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des S8050C im Bereich von 120 bis 200, die des S8050D im Bereich von 160 bis 300.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum S8050B ist der S8550B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor S8050B

Sie können den Transistor S8050B durch einen 2SD471A, KTC9013, MPS3414, MPS3416, MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6560, MPS6560G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPS8050B, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, S9013, SS8050 oder SS8050B ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com