Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS8050C
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 190 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des MPS8050C
Der MPS8050C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor MPS8050C kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des MPS8050 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des MPS8050B im Bereich von 85 bis 160, die des MPS8050D im Bereich von 160 bis 300.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum MPS8050C ist der MPS8550C.
SMD-Version des Transistors MPS8050C
Der FMMT449 (SOT-23), MPS8050S (SOT-23) und MPS8050S-C (SOT-23) ist die SMD-Version des MPS8050C-Transistors.
