Bipolartransistor MMBT3906LT1G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBT3906LT1G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.2 A
- Verlustleistung, max: 0.3 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
- Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
- Rauschzahl, max: 5 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
- Der MMBT3906LT1G ist die bleifreie Version des MMBT3906LT1-Transistors
Pinbelegung des MMBT3906LT1G
Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBT3906LT1G
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