Bipolartransistor FMMT591Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors FMMT591Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des FMMT591Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der FMMT591Q-Transistor ist als "591" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum FMMT591Q ist der FMMT491Q.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FMMT591Q

Sie können den Transistor FMMT591Q durch einen FMMT591 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com