Bipolartransistor FMMT591

Elektrische Eigenschaften des Transistors FMMT591

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des FMMT591

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der FMMT591-Transistor ist als "591" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum FMMT591 ist der FMMT491.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FMMT591

Sie können den Transistor FMMT591 durch einen FMMT591Q ersetzen.
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