Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC3876S-Y
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
Verlustleistung, max: 0.15 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des KTC3876S-Y
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTC3876S-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC3876S liegt im Bereich von 70 bis 400, die des KTC3876S-GL im Bereich von 200 bis 400, die des KTC3876S-O im Bereich von 70 bis 140.
Kennzeichnung
Der KTC3876S-Y-Transistor ist als "WY" gekennzeichnet.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC3876S-Y ist der KTA1505S-Y.