Bipolartransistor BCW65A

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW65A

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 32 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 170 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BCW65A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BCW65A kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCW65 liegt im Bereich von 100 bis 630, die des BCW65B im Bereich von 160 bis 400, die des BCW65C im Bereich von 250 bis 630.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BCW65A ist der BCW67A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCW65A

Sie können den Transistor BCW65A durch einen BCW66, BCW66F, FMMT491, FMMT491Q, FMMT619 oder MMBT2222A ersetzen.
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