Bipolartransistor BCW66F

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW66F

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 75 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 170 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BCW66F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BCW66F kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCW66 liegt im Bereich von 100 bis 630, die des BCW66G im Bereich von 160 bis 400, die des BCW66H im Bereich von 250 bis 630.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BCW66F ist der BCW68F.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCW66F

Sie können den Transistor BCW66F durch einen FMMT491, FMMT491Q oder FMMT619 ersetzen.
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