Bipolartransistor KTC3876S-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC3876S-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des KTC3876S-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC3876S-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC3876S liegt im Bereich von 70 bis 400, die des KTC3876S-GL im Bereich von 200 bis 400, die des KTC3876S-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Der KTC3876S-O-Transistor ist als "WO" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC3876S-O ist der KTA1505S-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC3876S-O

Sie können den Transistor KTC3876S-O durch einen 2SC2859, 2SC2859-O, 2SC3325, 2SC3325-O, 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, FMMT451, FMMTA05, KSC2859, KSC2859-O, KST05, KTC3876, KTC3876O oder MMBT4400 ersetzen.
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