Bipolartransistor KTC3876S-O
Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC3876S-O
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.15 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
- Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des KTC3876S-O
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC3876S-O
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