Bipolartransistor KTC8050S

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC8050S

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular KTC8050 transistor

Pinbelegung des KTC8050S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC8050S kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC8050S-C liegt im Bereich von 100 bis 200, die des KTC8050S-D im Bereich von 150 bis 300.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC8050S ist der KTC8550S.

Transistor KTC8050S im TO-92-Gehäuse

Der KTC8050 ist die TO-92-Version des KTC8050S.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC8050S

Sie können den Transistor KTC8050S durch einen 2SC4210, BCW65, BCW66, FMMT449, FMMT491, FMMT491Q, FMMT619, KTC3265 oder MMBT2222A ersetzen.
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