Bipolartransistor STD13007P-B
Elektrische Eigenschaften des Transistors STD13007P-B
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
- Verlustleistung, max: 87 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 45
- Übergangsfrequenz, min: 14 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des STD13007P-B
Klassifizierung von hFE
Ersatz und Äquivalent für Transistor STD13007P-B
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