Bipolartransistor STD13007P-B

Elektrische Eigenschaften des Transistors STD13007P-B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 87 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 45
  • Übergangsfrequenz, min: 14 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des STD13007P-B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor STD13007P-B kann eine Gleichstromverstärkung von 25 bis 45 haben. Die Gleichstromverstärkung des STD13007P liegt im Bereich von 10 bis 45, die des STD13007P-A im Bereich von 10 bis 30.

Ersatz und Äquivalent für Transistor STD13007P-B

Sie können den Transistor STD13007P-B durch einen 2SC2898, 2SC4107, 2SC4108, 2SC4162, 2SC4163, 2SC4164, FJP13007, KSE13007, KSE13007F, MJE13007, MJE13007A, MJE13007G, STD13007, STD13007-B, STD13007F, STD13007FC oder STD13007FC-B ersetzen.
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