Bipolartransistor FJP13007H2

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJP13007H2

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 26 bis 39
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des FJP13007H2

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJP13007H2 kann eine Gleichstromverstärkung von 26 bis 39 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJP13007 liegt im Bereich von 8 bis 60, die des FJP13007H1 im Bereich von 15 bis 28.

Kennzeichnung

Der FJP13007H2-Transistor ist als "J13007-2" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJP13007H2

Sie können den Transistor FJP13007H2 durch einen 2N6740, 2SC2898, 2SC3057, 2SC4107, 2SC4107-M, 2SC4108, 2SC4108-M, 2SC4162, 2SC4162-M, 2SC4163, 2SC4163-M, 2SC4164, 2SC4164-M, FJP13009, KSE13007, KSE13007F, KSE13007FH2, KSE13007H2, KSE13009, MJE13007, MJE13007A, MJE13007G, MJE13009, MJE13009G, STD13007, STD13007-B, STD13007F, STD13007FC, STD13007FC-B, STD13007P oder STD13007P-B ersetzen.
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