Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB811-Y
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
Verlustleistung, max: 0.35 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
Übergangsfrequenz, min: 110 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92S
Pinbelegung des KSB811-Y
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSB811-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB811 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des KSB811-G im Bereich von 200 bis 400, die des KSB811-O im Bereich von 70 bis 140.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB811-Y ist der KSD1021-Y.