Bipolartransistor 2SB621A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB621A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 340
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SB621A

Der 2SB621A wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB621A kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 340 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB621A-Q liegt im Bereich von 85 bis 170, die des 2SB621A-R im Bereich von 120 bis 240, die des 2SB621A-S im Bereich von 170 bis 340.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB621A-Transistor könnte nur mit "B621A" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB621A ist der 2SD592A.

SMD-Version des Transistors 2SB621A

Der 2SA1588 (SOT-323), 2SB766 (SOT-89), KTA1505 (SOT-23) und KTA1505S (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SB621A-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB621A

Sie können den Transistor 2SB621A durch einen 2N4954, 2SA1534, 2SA1534A, 2SA683, 2SA684, 2SB598, 2SB621, KSB564AC oder KSB811 ersetzen.
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