Bipolartransistor KSB811-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB811-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 110 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92S

Pinbelegung des KSB811-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB811-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB811 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des KSB811-G im Bereich von 200 bis 400, die des KSB811-Y im Bereich von 120 bis 240.

SMD-Version des Transistors KSB811-O

Der 2SA1182 (SOT-23), 2SA1182-O (SOT-23), 2SA1588 (SOT-323), 2SA1588-O (SOT-323), FJX1182 (SOT-323), FJX1182-O (SOT-323), KSA1182 (SOT-23), KSA1182-O (SOT-23), KTA1505 (SOT-23), KTA1505O (SOT-23), KTA1505S (SOT-23) und KTA1505S-O (SOT-23) ist die SMD-Version des KSB811-O-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB811-O

Sie können den Transistor KSB811-O durch einen 2N4951, 2N4954, 2SA1020, 2SA1020O, 2SB598, 2SB764, KSB564AC, KSB564ACO, KTA1281, KTA1281O oder KTB764 ersetzen.
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