Bipolartransistor KSB811

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 110 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSB811 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB811-G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSB811-O im Bereich von 70 bis 140, die des KSB811-Y im Bereich von 120 bis 240.Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB811 ist der KSD1021.Der 2SA1588 (SOT-323), KTA1505 (SOT-23) und KTA1505S (SOT-23) ist die SMD-Version des KSB811-Transistors.Sie können den Transistor KSB811 durch einen 2N4954, 2SB598 oder KSB564AC ersetzen.