Bipolartransistor FJX1182

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJX1182

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Rauschzahl, max: 2.8 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323
  • Electrically Similar to the Popular 2SA1182 transistor

Pinbelegung des FJX1182

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJX1182 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJX1182-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des FJX1182-Y im Bereich von 120 bis 240.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJX1182

Sie können den Transistor FJX1182 durch einen 2SA1588 ersetzen.
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