Bipolartransistor FJX1182
Elektrische Eigenschaften des Transistors FJX1182
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -35 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.15 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
- Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
- Rauschzahl, max: 2.8 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-323
- Electrically Similar to the Popular 2SA1182 transistor
Pinbelegung des FJX1182
Klassifizierung von hFE
Ersatz und Äquivalent für Transistor FJX1182
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