Bipolartransistor STB1277

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 170 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der STB1277 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor STB1277 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des STB1277-O liegt im Bereich von 100 bis 200, die des STB1277-Y im Bereich von 160 bis 320.Der 2SA1203 (SOT-89), FMMT549 (SOT-23) und KTA1663 (SOT-89) ist die SMD-Version des STB1277-Transistors.Sie können den Transistor STB1277 durch einen 2SA1273, 2SA928A, 2SB1229, 2SB892, 2SB985, KSA928A, KTA1273 oder KTA1282 ersetzen.