Bipolartransistor 2SB766

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 1 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 85 bis 340
• Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-89

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB766 kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 340 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB766-Q liegt im Bereich von 85 bis 170, die des 2SB766-R im Bereich von 120 bis 240, die des 2SB766-S im Bereich von 170 bis 340.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB766-Transistor könnte nur mit "B766" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB766 ist der 2SD874.Sie können den Transistor 2SB766 durch einen 2SB766A ersetzen.