Bipolartransistor BC808W

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC808W

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 600
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323
  • Electrically Similar to the Popular BC328 transistor

Pinbelegung des BC808W

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC808W kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC808-16W liegt im Bereich von 100 bis 250, die des BC808-25W im Bereich von 160 bis 400, die des BC808-40W im Bereich von 250 bis 600.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC808W ist der BC818W.

Transistor BC808W im TO-92-Gehäuse

Der BC328 ist die TO-92-Version des BC808W.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC808W

Sie können den Transistor BC808W durch einen BC807W ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com