Bipolartransistor BC808W
Elektrische Eigenschaften des Transistors BC808W
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.2 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 600
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-323
- Electrically Similar to the Popular BC328 transistor
Pinbelegung des BC808W
Klassifizierung von hFE
Komplementärer NPN-Transistor
Transistor BC808W im TO-92-Gehäuse
Ersatz und Äquivalent für Transistor BC808W
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