Bipolartransistor KTA1282

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTA1282

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KTA1282

Der KTA1282 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTA1282 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTA1282O liegt im Bereich von 100 bis 200, die des KTA1282Y im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTA1282 ist der KTC3210.

SMD-Version des Transistors KTA1282

Der 2SA1203 (SOT-89), FMMT549 (SOT-23) und KTA1663 (SOT-89) ist die SMD-Version des KTA1282-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTA1282

Sie können den Transistor KTA1282 durch einen 2SA1273, 2SA928A, 2SB1229, 2SB892, 2SB985, KSA928A, KTA1273 oder STB1277 ersetzen.
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