Bipolartransistor 2SB564

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB564

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 400
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SB564

Der 2SB564 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB564 kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB564K liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB564L im Bereich von 135 bis 270, die des 2SB564M im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB564-Transistor könnte nur mit "B564" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB564 ist der 2SD471.

SMD-Version des Transistors 2SB564

Der 2SA1588 (SOT-323), KTA1505 (SOT-23) und KTA1505S (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SB564-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB564

Sie können den Transistor 2SB564 durch einen 2N4954, 2SB598, KSB564AC oder KSB811 ersetzen.
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