Bipolartransistor KTA1283

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 85 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der KTA1283 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KTA1283 kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTA1283GR liegt im Bereich von 160 bis 300, die des KTA1283O im Bereich von 85 bis 160, die des KTA1283Y im Bereich von 120 bis 200.Der komplementäre NPN-Transistor zum KTA1283 ist der KTC3211.Der MMBT3702 (SOT-23) und MPS8550S (SOT-23) ist die SMD-Version des KTA1283-Transistors.