Bipolartransistor KTC8550S

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC8550S

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular KTC8550 transistor

Pinbelegung des KTC8550S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC8550S kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC8550S-C liegt im Bereich von 100 bis 200, die des KTC8550S-D im Bereich von 150 bis 300.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTC8550S ist der KTC8050S.

Transistor KTC8550S im TO-92-Gehäuse

Der KTC8550 ist die TO-92-Version des KTC8550S.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC8550S

Sie können den Transistor KTC8550S durch einen 2SA1621, BCW67, BCW68, FMMT549, FMMT591, FMMT591Q, KTA1298, MMBT2907, MMBT2907A, MMBT4354 oder MMBT4355 ersetzen.
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