Bipolartransistor KSB1116-G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SB1116-K transistor

Der KSB1116-G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSB1116-G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB1116 liegt im Bereich von 135 bis 600, die des KSB1116-L im Bereich von 300 bis 600, die des KSB1116-Y im Bereich von 135 bis 270.Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB1116-G ist der KSD1616-G.Der 2SB1115 (SOT-89), 2SB1115-YL (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), 2SB1122-T (SOT-89), 2STR2160 (SOT-23), FMMTA55 (SOT-23), KST55 (SOT-23), MMBT4354 (SOT-23), MMBT4355 (SOT-23), MMBTA55 (SOT-23), PZTA55 (SOT-223) und SMBTA55 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSB1116-G-Transistors.Der 2SB1116-K ist die TO-92-Version des KSB1116-G.Sie können den Transistor KSB1116-G durch einen 2SA1382, 2SA1680, 2SA1761, 2SB1116, 2SB1116-K, 2SB1116A, 2SB1116A-K, 2SB1229, 2SB1229-T, 2SB892, 2SB892-T, 2SB985, 2SB985T, KSB1116A, KSB1116A-G, KSB1116S oder KSB1116S-G ersetzen.