Bipolartransistor KSB1116A-G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SB1116A-K transistor

Der KSB1116A-G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSB1116A-G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB1116A liegt im Bereich von 135 bis 400, die des KSB1116A-Y im Bereich von 135 bis 270.Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB1116A-G ist der KSD1616A-G.Der 2SB1115A (SOT-89) und 2SB1115A-YP (SOT-89) ist die SMD-Version des KSB1116A-G-Transistors.Der 2SB1116A-K ist die TO-92-Version des KSB1116A-G.Sie können den Transistor KSB1116A-G durch einen 2SB1116A oder 2SB1116A-K ersetzen.