Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1116A
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 135 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SB1116A
Der 2SB1116A wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1116A kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1116A-K liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB1116A-L im Bereich von 135 bis 270, die des 2SB1116A-U im Bereich von 300 bis 600.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1116A-Transistor könnte nur mit "B1116A" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1116A ist der 2SD1616A.
SMD-Version des Transistors 2SB1116A
Der 2SB1115A (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB1116A-Transistors.
