Bipolartransistor 2SB1122-T

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1122-T

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SB1122-T

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1122-T kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1122 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SB1122-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1122-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1122-U im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Der 2SB1122-T-Transistor ist als "BET" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1122-T ist der 2SD1622-T.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1122-T

Sie können den Transistor 2SB1122-T durch einen 2SB1115, 2SB1115-YL, 2SB1115A, 2SB1115A-YP, 2SB1123, 2SB1123-T, 2SB1124, 2SB1124-T oder 2STF2360 ersetzen.
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