Bipolartransistor 2SB1116A-K

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SB1116A-K wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1116A-K kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1116A liegt im Bereich von 135 bis 400, die des 2SB1116A-L im Bereich von 135 bis 270, die des 2SB1116A-U im Bereich von 300 bis 600.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1116A-K-Transistor könnte nur mit "B1116A-K" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1116A-K ist der 2SD1616A-K.Der 2SB1115A (SOT-89) und 2SB1115A-YP (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB1116A-K-Transistors.Der KSB1116A-G ist die TO-92-Version des 2SB1116A-K.Sie können den Transistor 2SB1116A-K durch einen KSB1116A oder KSB1116A-G ersetzen.