Bipolartransistor 2SB1116-K

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SB1116-K wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1116-K kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1116 liegt im Bereich von 135 bis 600, die des 2SB1116-L im Bereich von 135 bis 270, die des 2SB1116-U im Bereich von 300 bis 600.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1116-K-Transistor könnte nur mit "B1116-K" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1116-K ist der 2SD1616-K.Der 2SB1115 (SOT-89), 2SB1115-YL (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), 2SB1122-T (SOT-89), 2STR2160 (SOT-23), FMMTA55 (SOT-23), KST55 (SOT-23), MMBT4354 (SOT-23), MMBT4355 (SOT-23), MMBTA55 (SOT-23), PZTA55 (SOT-223) und SMBTA55 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SB1116-K-Transistors.Der KSB1116-G ist die TO-92-Version des 2SB1116-K.Sie können den Transistor 2SB1116-K durch einen 2SA1382, 2SA1680, 2SA1761, 2SB1116A, 2SB1116A-K, 2SB1229, 2SB1229-T, 2SB892, 2SB892-T, 2SB985, 2SB985T, KSB1116, KSB1116-G, KSB1116A, KSB1116A-G, KSB1116S oder KSB1116S-G ersetzen.