Bipolartransistor 2SB1122

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 560
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-89

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1122 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1122-R liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1122-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1122-T im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB1122-U im Bereich von 280 bis 560.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1122-Transistor könnte nur mit "B1122" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1122 ist der 2SD1622.Sie können den Transistor 2SB1122 durch einen 2SB1123 oder 2SB1124 ersetzen.