Bipolartransistor 2SB1115

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 135 bis 600
• Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-89

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1115 kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1115-YK liegt im Bereich von 300 bis 600, die des 2SB1115-YL im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB1115-YM im Bereich von 135 bis 270.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1115-Transistor könnte nur mit "B1115" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1115 ist der 2SD1615.