Bipolartransistor KSA812-G

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA812-G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular 2SA812-M6 transistor

Pinbelegung des KSA812-G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSA812-G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA812 liegt im Bereich von 90 bis 600, die des KSA812-L im Bereich von 300 bis 600, die des KSA812-O im Bereich von 90 bis 180, die des KSA812-Y im Bereich von 135 bis 270.

Kennzeichnung

Der KSA812-G-Transistor ist als "D1G" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSA812-G ist der KSC1623-G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA812-G

Sie können den Transistor KSA812-G durch einen 2SA1037, 2SA1162, 2SA1162-GR, 2SA1366, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA1832, 2SA1832-GR, 2SA812, 2SA812-M6, 2STR2160, BC856, BC856B, FMMTA55, FMMTA56, KST55, KST56, KTA1504, KTA1504GL, KTA1504S, KTA1504S-GL, MMBT4354, MMBT4355, MMBTA55, MMBTA56, PMBTA56, SMBTA55 oder SMBTA56 ersetzen.
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