Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1162-GR
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.15 A
Verlustleistung, max: 0.15 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
Rauschzahl, max: 1 dB
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des 2SA1162-GR
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1162-GR kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1162 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des 2SA1162-O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA1162-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1162-GR-Transistor könnte nur mit "A1162-GR" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1162-GR ist der 2SC2712-GR.
