Bipolartransistor BDX62

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX62

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 90 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Übergangsfrequenz, min: 7 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BDX62

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDX62 ist der BDX63.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX62

Sie können den Transistor BDX62 durch einen 2N6649, 2N6650, BDX62A, BDX62B, BDX62C, BDX64, BDX64A, BDX64B, BDX64C, BDX66, BDX66A, BDX66B, BDX66C, BDX68, BDX68A, BDX68B, BDX68C, MJ11011, MJ11011G, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ11029, MJ11029G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033, MJ11033G, MJ2500, MJ2501, MJ4030, MJ4031, MJ4032, MJ900, MJ901, TIP605, TIP606, TIP607, TIP645, TIP646 oder TIP647 ersetzen.
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