Bipolartransistor BDX68B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX68B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -25 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BDX68B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDX68B ist der BDX69B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX68B

Sie können den Transistor BDX68B durch einen BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11033 oder MJ11033G ersetzen.
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