Bipolartransistor BDX66B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX66B

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -16 A
Verlustleistung, max: 150 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BDX66B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDX66B ist der BDX67B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX66B

Sie können den Transistor BDX66B durch einen BDX66C, BDX68B, BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11033, MJ11033G oder MJ4032 ersetzen.

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