Bipolartransistor BDX66C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX66C

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -16 A
Verlustleistung, max: 150 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BDX66C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDX66C ist der BDX67C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX66C

Sie können den Transistor BDX66C durch einen BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11033 oder MJ11033G ersetzen.

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