Bipolartransistor MJ4032

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ4032

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -16 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ4032

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJ4032 ist der MJ4035.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ4032

Sie können den Transistor MJ4032 durch einen BDX66B, BDX66C, BDX68B, BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11033 oder MJ11033G ersetzen.
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